Micron G11: флеш-память NAND перешагнула 400 слоёв и удвоила плотность
Производитель пропустил индекс G10 и сразу представил G11 с соединением пластин wafer-on-wafer
Micron Technology раскрыла планы на следующее поколение трёхмерной флеш-памяти NAND. Компания пропустила индекс G10 и сразу анонсировала G11. Производитель официально подтвердил, что количество слоёв в новом поколении превышает 400 — это минимум на 45% больше, чем у актуального G9 с 276 слоями, который используется, например, в SSD Crucial P510.
Что даёт рост числа слоёв
Наращивание этажности — не единственный способ повысить ёмкость. По данным Micron, благодаря новому техпроцессу и рекордно малому шагу ячеек битовая плотность G11 примерно вдвое выше, чем у G9. Если экстраполировать прежний показатель в 21 Гбит на квадратный миллиметр для TLC-памяти, для новинки можно ожидать около 42 Гбит/мм². Это оценка, а не финальная цифра: Micron не уточнила, идёт ли речь строго о TLC или также о QLC.

Переход на wafer-on-wafer
Micron также переходит на технологию соединения пластин wafer-on-wafer: массив ячеек памяти и логика ввода-вывода изготавливаются по отдельности, а затем сплавляются воедино. Ранее этот подход внедрили YMTC, Kioxia, SanDisk и Samsung. Такой метод позволяет оптимизировать каждый слой отдельно и в перспективе упрощает масштабирование плотности.
Интерфейс быстрее на 50%
Инженеры Micron заявляют и о разгоне интерфейса: скорость передачи данных между контроллером и NAND вырастет на 50% относительно G9 — с 3,6 Гбит/с до примерно 5,4 Гбит/с. При этом энергопотребление на передачу одного бита снизится более чем на 25%. Для накопителей это означает потенциал более быстрых SSD и меньшего нагрева при сопоставимых нагрузках.

Когда ждать в устройствах
Массовое производство G11 запланировано на вторую половину 2027 года. До этого момента рынок будет опираться на текущие поколения NAND, а конкуренты — Samsung, SK Hynix, Kioxia и SanDisk — наверняка представят собственные решения с сопоставимыми характеристиками. Для покупателей практический эффект стоит ждать ближе к 2028 году, когда новые чипы появятся в серийных SSD.
Что это значит для рынка накопителей
Гонка по слоям и плотности продолжается, но всё большее значение приобретают вспомогательные технологии: соединение пластин, скорость интерфейса и энергоэффективность. Именно они определяют, насколько выгодно производителям выпускать более ёмкие и быстрые SSD при сохранении цен. Анонс Micron показывает, что следующий виток конкуренции будет не только «высотным», но и архитектурным.
Читайте также
DeepSeek и Moonshot приписывают обучение новых моделей на ответах GPT-6 Astra
Honor представила смартфон X9e s с батареей 8560 мА·ч — в СНГ у него есть близнец Turbo 5G
Anthropic предупредила инвесторов об экзистенциальных рисках своего ИИ в документах к IPO
Google запустила браузерную игру Odd One Out: нужно найти ИИ-картинку среди фрагментов реальных картин
Комментарии
Комментарии доступны только зарегистрированным пользователям. Войти
- Пока нет комментариев. Будьте первым.
